在半導體工業的曆史長河中，三次全球半導體矽含量提升周期中，回首檢視米國、日本、韓國、歐洲、天朝台灣省等全球半導體大國/地區興衰成敗。
夫以銅為鏡，可以正衣冠；以古為鏡，可以知興替；以人為鏡，可以明得失。
全球半導體矽含量提升周期，就是全球半導體工業的曆史長河。
米國的dram和半導體工業產值在全球市場占有率中的發展趨勢：獨立自主的、完整的半導體工業體係，完善的人才培養體係。
米國人在1975年之前，通過軍工國防的投入領先全球建立了獨立自主的、完整的半導體工業體係。同時米國人創造矽晶體管、集成電路、mos、cmos和dram等一係列半導體科技的基礎。
英特爾憑借著在mos、晶體管等技術的領先優勢，通過1k dram，矽片直徑為50mm，芯片麵積為8.5mm2，集成度為5000，占據了全球半導體dram內存市場的82.9%的市場份額。
隨後莫斯泰克公司在4k dram，矽片直徑為75mm，芯片麵積為15.9mm2，集成度為11000。
通過單晶體管單元，差分讀出技術和地址複用技術等科技紅利的技術創新取代了英特爾，就集成度而言，全球半導體最先進的dram集成度從5000提升到11000，增長了120%。
這一時期，米國人是全球半導體產業絕對的領導者。
這一時期全球半導體矽含量從0到5%的提升過程中，大型機和小型機從發明到普及，米國人抓住了曆史的機遇。
1975-1985年的第一次dram世界大戰-美日半導體戰爭中，米國人在dram的競爭中開始全麵被日本人趕超，dram的全球市場份額從峰值的90%左右，大幅度下滑到20%。
這使得米國半導體在全球半導體產業中的占比從峰值的90%滑落到40%左右。
米國人在dram的失敗，最主要在於16k、64k、256k dram的研製上，全麵落後於日本人。以16k dram為例，日本人通過二層多晶矽技術使得dram芯片的集成度達到37000，這比起當時莫斯泰克、英特爾主流產品的集成度11000整整提升了236%。
而日本人通過循環位線、折疊數據線等新技術的應用，率先推出64k dram，集成度再次提升到155000，這比起16k的11000集成度，又提高13倍，這時候米國人已經基本沒有能力追趕了。
這一時期米國人在科技紅利投入上，特別是有效研發投入上是低於日本人的，雙方之間的dram軍備競爭已經不在一個層麵上進行的。
日本人通過64k dram，宣告全球半導體工業進入了新的時期-大規模集成電路時代。
科技思想上的落後使得米國人幾乎錯失了一個時代，米國50家半導體公司聯合起來，秘密結為同盟，希望能夠在256k dram反超日本人。
但是，日本人憑借“官產學”三位一體的國家力量，領先於米國人早早就實現了256k dram的規模量產。
日本人的256k dram，采用三層多晶矽和冗餘技術等新技術，將集成度再次推高到555000，這在當時是無法想象的。
米國人在整個美日半導體戰爭的失敗，可以說，全球半導體工業從mos晶體管、集成電路時代向超大規模集成電路(vlsi)時代轉變過程中的失敗。
關鍵原因在於科技紅利投入，特別是有效研發投入上的落後。
而這一時期是第一次全球半導體矽含量提升周期，因為大型機、小型機的滲透率快速提升。
全球半導體矽含量從5%快速提升到20%，全球半導體工業產值從5億美金，首次突破1000億美金。
從1986-2016年，米國人開始撿起了央格魯-撒克遜人的傳統政策-均衡政策，通過1986、1991年兩次簽署的《美日半導體協議》對日本人進行限製。
日本人強大，就扶持韓國人抗衡；韓國人強大，就借助台灣人進行製約，保持著在全球半導體產業競爭中的均衡優勢。