5.價格低廉。現在，最便宜的半導體激光器僅為1美元一隻，但通信用LD、高功率LD、有特殊要求的LD的價格仍然偏高。不過，相對於其他激光器而言，半導體激光器價格還是相對低廉的，而且具有相當大的降價潛力，原因是：它可用成熟的微電子技術進行大量生產，如可在3英寸的襯底上，生產7000個半導體激光器。以前，封裝工藝還是手工的，但最近，朗訊公司等推出的激光2000封裝設備，已使LD從管芯到封裝成型、參數檢測自動完成，這大大提高了通信用LD的產品質量和數量，也大大降低了成本。
LD魅力還遠不止這些，正是由於LD本身確實具有如此驚人的魅力，才使它的發展如此之快，才使它在當今的信息社會裏扮演了如此重要的角色，才使它對人類生活產生如此重大的影響。關心它，了解它，學會應用它，無疑會對你在新世紀的發展中產生重要影響！
半導體激光器的基礎知識
(一)半導體激光材料
前麵談到：半導體激光器是以半導體材料作為工作物質的，但不是所有的半導體材料都可以用來製作半導體激光器，如大量用於製作微電子器件的鍺(Ge)和矽(Si)不適合於製作半導體激光器，因為這些半導體是間接帶隙半導體。隻有具有直接帶隙的半導體材料，如砷化镓(GaAs)、銦镓砷磷(InGaAsP)、銦镓砷、(InGaAs)等，才可用來製作半導體激光器。為了說明這一點，有必要了解一些有關半導體材料的基礎知識。
大家知道：原子是由原子核和電子組成的，電子可在不同的軌道上繞核運動，在不同軌道上運動的電子具有不同的能量。我們稱對應於某一軌道的能量為能級。如果電子從一個軌道跳到另一個軌道，即從一個能級跳到另一個能級，電子的能量就要發生變化，或放出能量，或吸收能量。
在半導體中，情況比較複雜。內層電子的行為與原子中內層電子的行為類似。外層電子的行為與原子中外層電子的行為很不相同，半導體中的外層電子，不再局限於單個原子運動，它可以在整個晶體中自由運動。但是，這種運動又與電子在自由空間的運動形式不同，在自由空間，電子的運動不受任何約束，在半導體中，電子則是在周期場的作用下運動的。理論研究表明：在周期場作用下運動的電子，所對應的能級就會變成能帶。Ge、Si為間接帶隙半導體，它們的導帶底與價帶頂分別對應於不同的K值；CaAs為直接帶隙半導體，其導帶底與價帶頂對應於同一個K值。隻有直接帶隙半導體才能用來製作半導體激光器，因為，在這種半導體中，電子從導帶底向價帶頂躍遷時，不必要改變其動量，即改變K值。而在間接帶隙半導體中，電子從導帶底向價帶頂躍遷時，必須改變其動量，即改變K值。電子動量的變化，意味著要引起晶格振動的變化，即意味著要有聲子參與，聲子的參與將使發光效率大大降低。所以，間接帶隙半導體不宜用來製作半導體激光器，但仍可用來製作發光二極管。
不同半導體材料具有不同的禁帶寬度，因而用不同材料製作的半導體激光器，發射波長也就不同；在同一種材料中，改變組分也可使波長在一定範圍內變化。
(二)LD的核心——pn結
上麵談到的半導體都是純的半導體，如果在純的半導體中摻入少量雜質，就會使半導體的性質發生很大變化。適當摻入某些雜質，會使微電子和光電子器件的性能大大提高。
不摻雜的純半導體又稱為本征半導體。在本征半導體中，導帶中的電子和價帶中的空穴在數量上是一樣的。如果在半導體中摻入某種雜質，情況就會發生變化。現在，以GaAs為例，看看摻入某種雜質後，會發生什麼變化。查一查門捷列夫元素周期表，不難發現Ga是三價原子，As是五價原子，GaAs最外層共有8個電子，處於穩定狀態。如果在某個Ga的位置，用Zn來替代Ga，因為Zn是二價的，結果就使GaAs的最外層電子變成7個，這是一個不穩定的狀態，有吸引周圍電子的傾向。從電學的角度看，它帶有正電。我們稱這種帶正電的雜質——原子團為空穴。這種空穴在獲得很小的能量(電離能)之後，可在整個晶體中自由運動，從能量角度看，它已進入價帶了。這種雜質被稱為受主(受主雜質濃度用NA表示)，因為它能為半導體提供空穴。
含有受主的半導體稱為p型半導體。受主雜質的電離能是很小的，室溫時的熱能就能把空穴電離到價帶中去。在能帶圖上，受主雜質能級處於禁帶中，但緊靠價帶頂。在摻雜濃度較低時，受主雜質能級與價帶頂也是分離的，但是，在雜質濃度很高時，會形成雜質能帶，當雜質濃度高到一定程度時，受主雜質能帶就會與價帶頂相連，形成所謂帶尾。同樣的，如果用六價原子Sn替代As，CaAs的最外層電子就變成9個，這也是一個不穩定狀態，因為多餘一個電子。這個電子在獲得很小的能量(電離能)之後，也可在整個晶體中自由運動，從能量角度看，電子進入導帶了。這樣的雜質稱為施主，因為它能為半導體提供電子(施主雜質濃度用ND表示)。含有施主的半導體稱為n型半導體，雜質原子的外層電子也是具有一定能量的，因為其電離能很小，室溫時的熱能就足以把雜質原子的外層電子電離到導帶去了。因此，在能帶圖上，施主雜質的能級也處於禁帶中，但緊靠導帶底。