除高功率LD列陣之外，還有其他的LD列陣器件。如在同一個外延片上製作若幹個分布反饋(DFB)激光器，每一個DFB激光器的光譜寬度為0.3埃，有意將光柵周期做成不一樣，使相鄰激光器的波長差為20.5埃。然後再將它們耦合到一個波導中，便可構成頻分複用光源。也可用In-GaAsP襯底上製作周期相同的光柵，使每個長波長LD的發射波長相同。這樣的器件可用於普通的光纖通主係統，其中一隻器件工作，其餘備用。用光刻等技術來製作可分別取址的兩維表麵發射半導體激光器列陣，可用於光計算、光泵浦源等；用不同周期的光纖光柵構成的外腔激光器可作為WDM光源等。
(七)表麵發射半導體激光器
以上所介紹的LD都是從解理麵發射激光的，可以統稱這些LD為邊發射LD。在半導體激光器中，邊發射LD占絕對優勢。但是，這種LD的發散角較大(特別是在垂直於pn結的方向上)，器件集成的密度較低，功率也不夠大。
可以讓激光從垂直於pn結方向上輸出，這類LD統稱為表麵發射LD。其主要特點是：(a)能構成兩維光源，輸出光功率高，發散角小；(b)在兩維光源中，每個激光器都可單獨地隨機驅動，可通過光學場相互耦合；(c)可位於半導體表麵的任何部位，容易同光電集成回路、其他光波導器件耦合等。預計它可在固體激光器的泵浦、計算機或電子回路之間提供光互連、衛星通信、激光加工等領域獲得廣泛應用。
表麵發射LD有水平腔型和垂直腔型兩種類型，水平腔型又有光柵型、45°角型等結構。光柵型表麵發射LD(GSE)與DFB激光器、DBR激光器的結構類似，pn結位於水平方向，一級或二級光柵為激光振蕩提供光反饋，一部分光從光柵表麵垂直輸出，還有一部分光從光柵的另一段輸出，與另一個CSE耦合，從而可產生相幹的兩維發射光源，激光功率可高達數瓦，且具有較小的發散角。光柵型表麵發射LD的體積同普通的邊發射激光器類似，但比垂直腔表麵發射LD大得多，光電轉換效率也比垂直腔表麵發射LD大得多。
GSE列陣具有公共的、不受破壞的量子阱波導，使激光器和其他波導之間的耦合大為簡化。45°角型表麵發射LD與光柵型表麵發射LD的結構基本類似，pn結位於水平方向，在腔的兩端，用反應離子蝕刻等技術製作45°角，讓光從垂直於表麵的方向上發射出來。45°角的製備技術要求較高，稍有偏離，光就會偏離與表麵垂直的方向。此外，45°角區的光損耗也較大，使激光器效率下降。45°角型表麵發射LD的體積同普通的邊發射LD類似，但同垂直腔表麵發射LD相比，它仍然具有效率高，輸出功率大等優點。最近，人們還采用45°角棱鏡，將幾隻波長不同的LD的輸出光垂直地與光纖耦合，構成多波長LD。
共振腔與pn結垂直的表麵發射LD，稱為垂直腔表麵發射半導體激光器(VCSEL)，是微型激光器的一個類型。這種激光器極小，腔長約為5微米，其中增益區長僅為24納米，其餘部分為由多層反射膜構成的光反饋區。激光器發光麵積約為1.5微米，整個激光器的激活體積比普通的雙異質結激光器小一個微量級，約為0.05微米3。閾值電流預計可小至10微安，縱模間隔很大，達100納米量級，因此呈單縱模運轉，無跳模現象。光譜線寬較窄，GaAs VCSEL的輸出線寬僅為50MHz。可在高頻工作，在正弦調製時，3分貝帶寬已達8GHz。這種激光器可以非常高的器件密度構成兩維發射光源，已實現的器件密度為2×106個／厘米2。這些器件可以分別取址，可構成空間不相幹但時間相幹的兩維發射光源。輸出功率較大，而且輸出的光束無象散、可形成圓形光斑。
最近，有關高功率、側向電流注入的VCSEL的研究十分活躍。如朗訊公司，用低壓MOCVD，在〈100〉GaAs襯底上生長的激光結構，其多量子阱應力補償層含有3個InGaAs阱和GaAsP壘，50納米厚的AlAs層位於作用區和高摻GaAs層之間，腔長僅為3個波長。用氧氣法製作直徑分別為4微米和50微米激活窗口，前者，Ith=1.5微米，輸出幾毫瓦；後者可輸出250毫瓦，波長1微米。該激光器可用來泵浦光纖激光器；施樂公司正在研究高密度的VCSEL列陣，準備用於打印機。