我們繼續著記憶模型上的實驗：接著再次在控製器上輸入“12969”，查詢時，6號線上有回應，控製器知道“啊，12969我之前見過，信息已經存儲”，第三步自動取消。
繼續輸入信息，7組燈全亮，8組燈全亮，9組燈全亮，這時候，控製器一邊要接受信息，一邊要維持1-9組4000多個燈泡所指定的亮度，它在哀嚎：“我太難了！”
人類的大腦聽到它的哀嚎叱道：“叫什麼叫！才4000多個，我要管理維持的多達100億個燈泡（大腦細胞在100億以上）。”這下你該知道，你的大腦黑箱有多了不起吧。這也就是為什麼小時候的記憶力更好（信息少，維持容易）。
在控製器輸入信息時，如果你隻輸入“1”，2線回應，我這裏有“1234567”；6線回應，我有“12969”；7線回應，我有“12970”。
控製器上輸入“129”，6線回應，我有“12969”；7線回應，我有“12970”。
輸入信息時，包含這個信息的集群信息都會反饋給你。
是不是有似曾相識的感覺？這就是信息的檢索查詢，同你在大腦中尋找的過程如出一轍。
從以上解說我們會發現，這個過程有兩個關鍵：一是信息接收到，產生電位，腦細胞由靜息電位升壓成高電位的過程，這個過程和神經細胞傳導過程相同，記憶的快慢和反應的快慢原理是相同的。
腦細胞開放的納窗小而少，納離子進入慢，“溫過而知新”，要多次刺激，才能達到要求的電位水平。
靜息電位是舒服電位，細胞液是海，海洋中的水不會再往高處流，河流中的水會往下流，你要想水不往下流，必須花費代價，修築水壩之類的。因此，高電位記憶細胞中的鈉離子會往細胞液中流，電位丟失，記憶的信息就丟失，這就是失憶。想要不失憶，得有能量來維持記憶細胞內的鈉離子不流失。這是記憶的第二個關鍵。鈉離子進入的速度慢，流出也慢，因此，“記得慢，記得牢”。
“記得快，記不牢”，過程與此相反。這就好比一個封閉的杯子，上麵的開口小，要灌滿需要的時間長，倒空時間同樣長；開口大，灌滿杯子時間短，倒空時間也短。
當然，有些人鈉窗開啟快，數量多，鈉離子進入快；投射纖維多，一個信息由多根纖維傳送，傳導過程也快，記憶瞬時就能完成。記憶完成後，有充足的能量維持住記憶細胞的高電位，不致使細胞內鈉離子流失，記憶牢固。
誰也不是龍湖那種妖孽，“頭懸梁，錐刺股。”好不容易記住了，可時間一長，鈉離子覺得細胞內空間太小，還是細胞液裏爽，於是起了逃跑的念頭。有什麼辦法防止鈉離子逃跑到細胞液這個“海”中，維持住這個高電位呢？想不出辦法，記憶的持久性可要受到衝擊啊。
有些人說，有點印象，也就是說有記憶，但模糊。實質就是，記憶相關信息的部份（這個部份是百分之多少，取決於你記憶的模糊程度）腦細胞，鈉離子逃了，沒有維持住初始的高電位。但仍有部份腦細胞安保做得好，鈉離子未逃掉，維持住了初始高電位。因這個信息的整體不完整，缺少了一部份，所以是有印象，模糊不清晰。