“理解了上述想象，再來理解’結’字符就很簡單了。
“想象在’多鍵晶體’與’多穴晶體’之外施加正負不同的元壓，則外加元壓隻會存在與平衡結構中的元壓方向相同或者相反兩種情況。
“當外加元壓與內在元壓方向相反時，兩種元壓是串聯形式，內在元壓不會阻礙外加元壓，因而元流可以正常通過，呈現導通狀態。
“當外加元壓與內在元壓方向相同時，兩種元壓是並聯形式，內在元壓將會阻礙外加元壓，因而元流難以通過，呈現截止狀態。
“而當外加元壓超過內在元壓時，按照基爾霍夫元流定律，元流應該也會隨元壓變化，不應該出現數值穩定的’反向飽和元流’，對於這個問題，我認為可以這樣理解：
“既然晶體內部元流形式為鍵子向空穴的方向性遷移，那麼外部灌入的元流在晶體內部，也可以想象成為鍵子流動狀態——這也是一種可能存在的元流形態，並非那麼難以想象。
“從這個思想出發，可以看到外部元流與內在元流方向是相同的，鍵子向空穴的遷移作用在此過程中一定是在加強，因而內在元壓和元流也在增強，晶體接觸之處的平衡結構層就會變寬，甚至會包含整個晶體結構，在這種情況下，晶體內部的元流便隻能通過鍵子向空穴的遷移表現出來，遷移的效率則會由五鍵符文粒子或三鍵符文粒子的熱摻
雜率決定。
“所以，無論外加元壓多大，內部的元流在新的平衡結構層中也隻能穩定在某種程度，而且內在元壓時刻存在，所以元流數值也應該不會太大。
“三種狀態的簡略圖示見下…
“上述這種平衡結構，可以視為’結字符’的一種可能存在的形式，可以叫做’鍵穴結’。”
吳老板看到這裏，早已沉默下來，方才的激動也早已不見了蹤影。
有一點他不得不承認，這位琳大師的解釋雖然也和粒子思想的支持者們一樣，通篇都是“想象”，可是在邏輯上卻是結構自洽，因果分明！
——將某些鍵合構物中的元流視作鍵子遷移的解釋，據說是源自於千年之前那位英年早逝的波爾宗師，波爾宗師甚至將鍵子視為元壓概念抽象出來的“負極”那樣，擁有某種值為負數的內秉屬性！
吳老板身為曾經的七星魔造大師，過往之時也曾在與粒子思想擁躉們的激烈爭辯中遇到過類似解釋，曾經的他對此一直都是嗤之以鼻！
兩年多前，當他晉升宗師的那次魔蓮改造失敗之後，吳老板便完全擱置下所有魔造理論的思考，偶爾登錄魔網也隻是處理生意方麵的事情，可是現在，當他為了自己的寶貝女兒，仔細考量這篇回複時，他卻驚訝地發現，直到目前為止，自己甚至找不到任何自相矛盾的地方，找不出半點可供反駁之處！
這篇回複就像一眼不含任
何雜質的井水，清澈通透，卻又深不見底！
………
“’反接雙結字符組合’，便是將兩枚’結’字符首首相連或者尾尾相連。
“將’鍵穴結’的思想推廣到’反接雙結字符組合’上麵，組合形式便成為’多鍵-多穴-多鍵’，或者’多穴-多鍵-多穴’這兩種結構形式。
“以’多鍵-多穴-多鍵’結構為例，想象’多穴晶體’的厚度比’多鍵晶體’薄上很多，而且’多穴晶體’的熱摻雜率遠遠小於’多鍵晶體’。
“為了表述方便，可以把該結構豎直起來，按照元流傳輸方向，從上到下將三段晶體分別稱為’集鍵區’、’基區’、’發射區’。
“’集鍵區’與’基區’之間是第一個’鍵穴結’，可稱為’上方結’；’基區’與’發射區’之間是第二個’鍵穴結’，可稱為’下方結’。
“在’基區’與’發射區’之間外接正向元壓Va，構成第一個回路，其中元流記為Ia；在’集鍵區’與’發射區’之間外接正向元壓Vb，構成第二個回路，其中元流記為Ib，該回路總元壓為Vc，並且串聯一個’阻’字符，起到分壓作用；再將這兩個回路於’發射區’後端媾合，共地相連，則’發射區’後端的元流為Ia與Ib的和。
“這種使用形式在’反接雙結字符組合’中極為常見，可以叫做’共發射區回路模式’，圖示如下…
“’反接雙結字符組合’的典型應用，便是輸入元流對於輸出元流的放大作用，在上述回路模式中，便是元流Ia對於元流Ib的放大作用，我們可以簡要分析一下：
“調整回路，使得元壓Vc大於元壓Vb大於元壓Va，且元壓Vb與元壓Vc的差值大於’上方結’的反向偏置元壓，則’上方結’呈反向導通狀態，’下方結’呈正向導通狀態。
“前麵說過，’基區’很薄且熱摻雜率很小，則’下方結’中形成鍵子多而空穴少的局麵，大量鍵子在外加元壓的作用下進入’基區’，隻有很小一部分填補進空穴；
“而’上方結’由於是反向導通狀態，與’下方結’的元流方向相同，所以兩個’鍵穴結’中的鍵子遷移方向也相同，在適當元壓的作用下，’下方結’中的大量多餘鍵子便會穿過’基區’，進入到’上方結’中。