B
8位微處理器
1972年4月，由霍夫與費金研製的世界上最早的8位微處理器英特爾8008芯片問世。在138平方毫米的芯片上做出了能執行45種指令的中央處理器。它能同時對8個二進製數字進行傳送和運算。
1973年8月，霍夫等人又研製出英特爾8080型微處理器，它的運算速度比4004型要快20倍。研製8080型芯片最初隻是為了對8008型芯片進行改進，但當時速度較快的新型MOS金屬氧化物半導體電路出現了，霍夫和費金把MOS電路應用到8080型芯片上，一舉成功，成為第二代微處理器。它是有史以來最為成功的微處理器之一。
波導管
波導管是把電磁波限製在其內的一種空心金屬管。
早在1897年，英國物理學家瑞利就建立了金屬波導管內電磁波傳播的理論。但在此之後的20多年裏，在波導理論與實驗方麵都沒有獲得重大進展。直到1924年，情況開始發生變化，哈班與查契克均獨自發現磁控電子管能自動發生高頻電磁振蕩。1929年，克拉維開始進行微波通信的試驗。第二年，他在美國新澤西州的兩個電台之間，用直徑為3米的拋物麵天線進行微波通信。1930年，有人開始用微波進行無線電廣播與通信。1933年，在克拉維的主持下，開通了第一條商用微波通信線路，它從英國的萊普尼列到法國的聖·因格列維特。
1936年，索思沃思提出超高頻波導管的理論，並發明微波用波導管，波導的理論、實驗與應用，開始出現重大進展，促使微波技術日趨完善。此外，20世紀20～30年代電視技術的興起，也激勵了微波技術的發展。
1937年，美國物理學家瓦裏安兄弟製出了雙腔速調管振蕩器。1939年，英國物理學家蘭德爾與布特製造出多腔磁控管。這些成果為微波技術的形成與發展奠定了基礎。
博多電碼
博多電碼是法國工程師博多於1874年取得專利的一種電報碼，在20世紀中期取代了莫爾斯電碼。最初，博多碼是由5個長度相同的“通”、“斷”信號組成的電碼，按不同方式組合而成的電碼組共有32種，每種表示一個書寫符號，它比利用由長劃和短點組成的莫爾斯電碼的通信效率高。現代的博多電碼，通常用7或8個“通”、“斷”信號組成。7個信號可以傳送128種不同的書寫符號；8個信號則用多出來的一個信號供校驗或作其他用途。使用脈碼調製，接收機隻需檢測簡單的脈衝型式就可以了，而每個信號相應的脈衝型式是唯一的。因此，可以最大限度地減少傳輸錯誤與傳輸損耗，消除噪音和幹擾，使信號可靠地傳輸。此外，由於脈衝與連續信號不同，它可以通過傳輸線路上的轉發器利用電子儀器不失真地反複再現。
薄膜刻蝕技術
薄膜刻蝕技術是一種使用物理或化學的方法使薄膜材料消蝕的技術。它是薄膜澱積的反過程。在薄膜材料的實際應用中，隻把薄膜當作保護或裝飾材料使用時，將物件表麵鍍一層均勻薄膜即可。但是用於製作器件的薄膜材料，一般都要求印刷電路板上的銅膜是具有一定形狀和走向的線條，因此對各種薄膜材料的形狀和大小的要求就更為複雜和嚴格。形成具有一定形狀和大小的圖形薄膜的方法是在鍍膜過程中使用掩模板，使基體表麵裸露部分生長有薄膜材料，而被掩蓋部分則不存在薄膜。
20世紀60年代以後，集成電路促進了薄膜技術的發展。在腐蝕工藝中，采用液體化學腐蝕劑的方法稱為濕刻法。其中，采用感光法進行薄膜圖形刻蝕的技術稱為光刻，抗蝕膜的製作就采用光刻法。20世紀70年代以後，大規模和超大規模集成電路的發展又要求獲得更精細的、直至亞微米級的圖形薄膜。濕刻法已不能適應需要，於是出現定向腐蝕法，它是通過等離子體刻蝕或反應離子刻蝕得到的。因為這兩種技術不使用液體化學品，所以稱為幹刻。
薄膜集成電路
薄膜集成電路是將整個電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合體、合金或絕緣介質薄膜，並通過真空蒸發、濺射和電鍍等工藝製成的集成電路。薄膜集成電路中的有源器件，即晶體管，有兩種材料結構形式：一種是薄膜場效應硫化鎘或硒化鎘晶體管，另一種是薄膜熱電子放大器。更多的實用化的薄膜集成電路采用混合工藝，即用薄膜技術在玻璃、微晶玻璃、鍍釉和拋光氧化鋁陶瓷基片上製備無源元件和電路元件間的連線，再將集成電路、晶體管、二極管等有源器件的芯片和不使用薄膜工藝製作的功率電阻、大容量的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點倒裝焊接等方式，就可以組裝成一塊完整的集成電路。