第四百一十章:SiGe BiCMOS(1 / 2)

三的閉門會談過後,雙方一直決定,開陽半導體接受來自蘇聯首批五十位技術人員的訪問學習。

並且這五十人也是有要求,必須要從蘇聯各大半導體電子產業相關單位分別抽調,來自同一家單位的技術人員不能超過五人以上,這是最基本要求。

閉門會談過後,雙方進入到第二輪高峰論壇,就軟件開發、半導體無線通訊等領域展開互相了解,增進雙方技術互信。

孟懷英這時候終於能夠抽出時間,之前她都在S無線射頻芯片的設計方麵埋頭工作,經過為期三年時間的艱苦攻關,這才初步解決S射頻芯片所存在的問題。

用於中文傳呼機使用的射頻芯片設計已經全麵凍結,正準備交付工藝部門進行產品批產工藝相關設計。

S射頻芯片和S光學傳感器的影響力大致差不多,都是能夠對某一行業產生巨大變革的技術,孟懷英現在很自信,他可以站在中蘇半導體集成電路高峰論壇上,盡情地演講自己科研成果。

......

然而並不是所有人都看好S射頻芯片,至少在來自蘇聯的代表團當中,便有一位莫斯科國立特種工程設計院的大佬,人家是專門研究無線通訊這方麵,目前屬於全球頂尖梯隊。

世界上最先發明無線電話的,實際並非美國人,早在1957年,蘇聯工程師列昂尼德.庫普裏揚諾維奇發明了ЛК-1移動電話。

1958年,列昂尼德.庫普裏揚諾維奇對移動電話做了進一步改進,設備重量從公斤減輕至500克(含電池重量),外形精簡至兩個香煙盒大,可向城市裏的任何地方進行撥打,可接通任意一個固定電話。到60年中期,庫普裏揚諾維奇的移動電話已能夠在00公裏範圍內有效工作。

蘇聯大規模普及的移動通訊設備稱之為“阿爾泰”,在布魯塞爾世博會上獲得金獎,到1970年,“阿爾泰”係統已在0多個城市中為人們普及,比起美國人確實要強了太多。

國內有龐大的無線通訊市場,蘇聯在移動電話領域走在世界最前沿,人家有資格提出疑問。

“這位女士,既然你從事射頻芯片研發,並且也提到要將射頻芯片主要服務於無線通訊市場,那麼我有一個問題很疑惑,S射頻芯片功率過低的問題,您要如何解決?”

毛子話很直接,直接提到當前最不好解決的問題上,而這同樣也是國際難題。

如同當年白斯文教授開發S光學傳感器過程中遇到暗電流噪聲問題一樣,後來教授通過一係列工藝設計來巧妙解決,並最終推出高性價比的S光學傳感器,從此一舉奠定學術大牛地位。

現如今,孟懷英開發S射頻芯片,也遇到學術界公認的固有缺陷:功率過低。

“基於S工藝來研發射頻芯片,固有問題在於功率過,它確實無法和同時期的砷化镓射頻芯片相比,目前橫亙在全世界科研界麵前頭等難題便在於此,不過我們團隊成功開發出一次S混合結構,從而能夠解決功率過問題,使其可以初步滿足中低功率微波射頻所需。”

所謂S混合結構,實際就是SiGe BiS工藝,中文全稱為:矽鍺雙極-互補金屬氧化物半導體,這東西在功率上麵相對還算勉強能接受,並且還完美繼承S工藝加工流程,成本也足夠低廉,是一種很不錯的半導體射頻工藝技術。

SiGe BiS工藝產品性能優點在於成本低,並且功率相對不錯,甚至在000年之後的相控陣雷達大爆發時代,一些不法分子以次充好,為了降低成本,便采用SiGe BiS工藝/R組件來製造相控陣雷達。

好吧,這隻是開個玩笑而已,采用采用SiGe BiS工藝製造的/R組件功耗低、成本低、集成度高,被廣泛用於/R組件型化和成本控製方麵,其中以波段相控陣雷達最有使用價值。

SiGe BiS工藝的/R組件不僅適用於波段相控陣空預警雷達,在Ka波段的/R組件方麵,因為集成度高、體積,因此被運用於主動雷達導引頭。

所謂主動雷達導引頭,區別就在於美帝的AI-7麻雀家族和AI-10阿姆拉姆之間,前者因為導引頭研發時代的工藝水平限製,無法容納雷達發射機及接收機,即便勉強上馬,這種導引頭最終也隻能用於AI-54上麵。

直到固態電子及集成電路出現,雷達組件可以有望實現型化,才在空空導彈內實現雷達波的發射及接收一手包辦,而這便是主動雷達導引頭的作用。

美帝有了型化的主動雷達導引頭,所以搞出AI-10這種神器,而共和國現在卻隻能搗鼓AI-7家族改進而來的半主動雷達導引頭:霹靂11。