1981年，在第二屆精密測量與基本常數國際會議上，馮·克利青進一步從理論上論證量子霍耳效應的普遍性，還總結了各種不同類型的矽MOSFET管在強磁場和深低溫下測到的霍耳電阻數據，得到的數據非常精確。量子霍耳效應具有如此之高的精確性和複現性，對於計量工作者的確是一件很值得歡迎的好事。因為如果能夠根據量子霍耳效應來定義歐姆，又能夠根據約瑟夫森效應來定義伏特，就可以組成一對以基本物理常數為基礎的電學基準，使電學單位從實物基準向自然基準過渡。
國際計量委員會下屬的電學谘詢委員會（CCE）在1986年的第17屆會議上決定：從1990年1月1日起，以量子霍耳效應所得的霍耳電阻RH＝h/e2來代表歐姆的國家參考標準，並以約瑟夫森效應所得的頻率-電壓比f/UJ來代表伏特的國家參考標準。
1988年CCE第18屆會議正式建議將第一階（I＝1）霍耳平台相應的電阻值定義為馮·克利青常數，以RK表示，並通過了如下決議：“國際計量委員會……考慮到——大多數現有的實驗室所擁有的電阻參考標準隨著時間有顯著變化，——基於量子霍耳效應的實驗室電阻參考標準是穩定的和可複現的，——對大多數新近的測量結果作的詳盡研究得到的馮·克利青常數值RK，也就是說，量子霍耳效應中的霍耳電勢差除以相當於平台i=1的電流所得的值為 25812.807Ω，——量子霍耳效應以及上述RK值，可以用來建立電阻的參考標準，相對於歐姆，它以一個標準偏差表示的不確定度估計為2×10-7，而其複現性要好得多，因此建議——精確地取 25 812.807Ω作為馮·克利青常數的約定值，以RK-90表示之，——此值從 1990年1月1日起。而不是在這以前，由所有以量子霍耳效應為電阻測量標準的實驗室使用，——從同一日期開始，所有其他實驗室都將自己的實驗室參考標準調整為與RK-90一致。並主張——在可預見的未來無需改變馮·克利青常數的這個推薦值。”
這項決議已得到國際計量委員會的批準，並公布執行。於是，從1990中1月1日起，世界各國有了統一的國家電阻標準。這個新的標準是以量子霍耳效應為基礎，容易複現，不會隨時間變化。
有必要指出，目前隻是由量子霍耳效應獲取電阻的實用參考基準，而不是對國際單位製中的歐姆給出新的定義。因為歐姆和伏特一樣，在國際單位製中都是導出單位，如果另給它們下定義，就必然與安培的定義，μ0的精確值乃至能量、功率等力學量及千克質量基準的規定不相容。盡管如此，目前的決定在基本物理計量史上仍然是繼秒和米的新定義後的又一有重大意義的事件。
從1990年1月1日起，還有一個重要的電學量給定了新的標準，這就是電壓。新的電壓標準是建立在約瑟夫森效應的基礎上的。約瑟夫森效應也是一種發生在凝聚態中的量子效應，也是高度精確的。約瑟夫森由於發現了這一效應已於1973年獲得了諾貝爾物理學獎。